鴻鎵引進矽氮化鎵技術 攻節能市場

鴻鎵科技為國內功率元件領域新生力軍，上周五（21日）與日本最大電報與電信公司NTT旗下完全持股子公司NTT－AT簽立獨家合作矽氮化鎵契約，引入「矽氮化鎵磊晶生長技術」與相關製程設備，有助鴻鎵科技使用矽氮化鎵打入多方領域的功率元件產品，搶攻節能市場。

鴻鎵科技執副王興燁表示，這項技術未來將擴大應用至電動車、AI等，有機會為氮化鎵市場帶來新契機。

NTT－AT為NTT 100％出資成立子公司，擁「矽氮化鎵磊晶生長技術」等氮化鎵領先技術，惟因半導體在日本當地製造成本過高，而積極尋求海外合作夥伴。其相中台灣半導體製造鏈最為完整，不僅製程能力佳，成本也相對較低，因而跨海進行技術移轉，交由今年甫成立的鴻鎵科技，專攻生產節能省電的應用終端商品。

鴻鎵科技主要技術團隊來自於前廣鎵光電LED磊晶片及晶粒製造，王興燁指出，在承接NTT－AT技術後，為了加速生產計畫，目前在竹科園區租借一棟廠房，多數產品包括燈具、電源供應器等已進行送樣中，其中，在鴻鎵科技的技術加成下，NTT－AT樂意幫助將鴻鎵科技終端產品回銷日本，如較少電磁波干擾的LED燈具等。

NTT－AT本部長界義久指出，一般而言，矽氮化鎵被視為下世代的電晶體，主要由於其電壓高、動力強及速度快，且矽氮化鎵（GaN－on－Si）晶圓使用矽晶圓為基板，可使相關製造成本降低。矽氮化鎵電晶體可應用於電腦、資料中心、電動車及太陽能電池板轉換等電源供應上，藉以達到低電耗的目的。